С глубоким прискорбием сообщаем, что на 86-м году жизни, скончался академик РАН, директор ФИАН в 1989-1994 гг.,
Леонид Вениаминович Келдыш
(7 апреля 1931 г. – 11 ноября 2016 г.)
выдающийся физик-теоретик, академик АН СССР (1976) и РАН (1991), член Национальной академии наук США и Американского физического общества, Почетный Рентгеновский профессор Вюрцбургского Университета.
Л.В. Келдыш – лауреат многих наград и премий: премии им. М.В. Ломоносова АН СССР (1964), Ленинской премии (1974), премии Хьюлетт-Пакард Европейского Физического Общества (1975), премии им. Александра Гумбольдта (1994 г.), премии «Триумф» (2001), премии Президента Российской Федерации в области образования (2003), международной премии в области нанотехнологий RUSNANOPRIZE-2009, премии им. И.Я. Померанчука (2014). Награжден Золотой медалью им. С.И. Вавилова (2005) и Большой золотой медалью им. М.В. Ломоносова — высшей наградой Российской академии наук (2015).
После окончания МГУ в 1954 году он поступил в аспирантуру ФИАН, где его научным руководителем стал В.Л. Гинзбург. С тех пор вся жизнь Л.В. Келдыша была неразрывно связана с Отделом теоретической физики ФИАН. В 1989-1993 годах Л.В. Келдыш возглавлял ФИАН, а в 1991-1996 годах был академиком-секретарем Отделения общей физики и астрономии РАН.
Педагогическая деятельность Л.В. Келдыша началась в 1962 году, когда он стал профессором Московского физико-технического института, в 1965-м он стал профессором МГУ, более 20 лет он возглавлял кафедру Квантовой радиофизики Физического факультета МГУ. Его блистательный курс «Взаимодействие электромагнитного излучения с веществом» в 1989 году был издан в виде учебника. Л.В. Келдыш подготовил более 20 кандидатов и более 10 докторов наук. Среди его учеников есть известные учёные, заслужившие академические звания и награды.
Леонид Вениаминович Келдыш – выдающийся специалист в области физики твёрдого тела, ему принадлежит целый ряд оригинальных идей, оказавших влияние на развитие различных областей физики: взаимодействие сильного электромагнитного излучения с атомами и твердыми телами, фазовые переходы в электрон-дырочных системах, методы описания неравновесных систем и др.
Л.В. Келдыш построил теорию туннельных явлений в полупроводниках, впервые предсказал так называемый непрямой туннельный эффект, а также эффект сдвига края поглощения в полупроводниковых кристаллах под влиянием электрического поля, который теперь носит его имя — эффект Франца–Келдыша.
В середине 60-х годов Л.В. Келдыш впервые указал на возможность модулирования электронных свойств полупроводника ультразвуком, по сути, это была модель сверхрешетки, без которой немыслима современная физика твердого тела.
Л.В. Келдыш показал, что два известных явления - туннельный эффект и фотоэффект являются двумя предельными случаями более общего процесса. Эта теория стала основой современного понимания взаимодействия мощного лазерного излучения с атомами, молекулами и твердыми телами.
В 1967 году Л.В. Келдышем было высказано предположение, что в сильно возбужденных полупроводниках образуется электронно-дырочная жидкость, которая позднее была обнаружена и детально изучена экспериментально.
Для теоретического описания состояний и кинетики сильно неравновесных квантовых систем Л.В. Келдыш разработал специальную диаграммную технику, которая носит его имя и широко применяется в разных областях теоретической физики.
Ушел не просто выдающийся ученый – ушел замечательный человек, проявлявший честность и объективность во всех сторонах жизни.